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Memoria RAM Samsung M425R2GA3EB0-CWM0D NB0X 16GB/ DDR5/ 5600MHz/ 1.1V/ CL46/ SODIMM

SAM-16GB M425R2GA3EB0-CWM0D_DIC
Memoria ram samsung m425r2ga3eb0-cwm0d nb0x 16gb/ ddr5/ 5600mhz/ 1.1v/ cl46/ sodimm
 

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Descripción

Samsung 16GB DDR5 RAM 5600MHz CL46 262-Pin SODIMM

La memoria Samsung M425R2GA3EB0-CWM0D está diseñada para ofrecer un rendimiento de nueva generación y una alta eficiencia energética en portátiles y sistemas compactos. Con 16GB de memoria DDR5, proporciona una experiencia fluida en multitarea y aplicaciones exigentes.
Gracias a su velocidad de 5600MHz, este módulo SO-DIMM mejora notablemente el ancho de banda y la capacidad de respuesta del sistema frente a generaciones anteriores. Su bajo voltaje de funcionamiento de 1.1V ayuda a reducir el consumo energético y la generación de calor.
La arquitectura Single Rank 1Rx8 y el cumplimiento de los estándares JEDEC garantizan una amplia compatibilidad y un funcionamiento estable a largo plazo. La latencia CL46 asegura un rendimiento equilibrado para uso profesional y cotidiano.
Fabricada en producción masiva bajo los estándares de calidad de Samsung, esta memoria DDR5 de 16GB es una opción fiable y duradera para ampliar portátiles y equipos de pequeño formato con total confianza.

Especificaciones


Memoria

Capacidad: 16 GB (1 x 16 GB)

Tipo de memoria: DDR5

Velocidad: 5600 MT/s

Clasificación PC: PC5-5600B

Latencia CAS: CL46

Organización: 1R x16, Single Rank

Formato: SO-DIMM de 262 pines

Voltaje: 1,1 V


Detalles del producto
Samsung
SAM-16GB M425R2GA3EB0-CWM0D_DIC

Ficha técnica

Memoria
16 GB RAM
Cantidad
1
Formato Memoria
SODIMM
Latencia CAS
CL46
Tipo de Memoria
Memoria DDR5
Velocidad
5600 Mhz
Voltaje
1.1 V
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